| 发明名称 | 栅极侧壁层的制造方法及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极侧壁层的形成方法，包括：提供具有栅极的半导体衬底；在所述半导体衬底和栅极的表面形成第一氧化硅层；以六氯硅烷作为前驱物，在所述第一氧化硅层上形成第一氮化硅层；选择性去除部分第一氧化硅层和第一氮化硅层，保留所述栅极侧壁的第一氧化硅层和第一氮化硅层。本发明还提供一种半导体器件的制造方法。本发明可改善或消除栅极侧壁层底部的凹陷的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101393862B | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200710046317.9 | 申请日期 | 2007.09.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何有丰;朴松源;白杰;唐兆云 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种栅极侧壁层的形成方法，其特征在于，包括：提供具有栅极的半导体衬底；在所述半导体衬底和栅极的表面形成第一氧化硅层；以六氯硅烷作为前驱物，在所述第一氧化硅层上形成第一氮化硅层；选择性去除部分第一氧化硅层和第一氮化硅层，保留所述栅极侧壁的第一氧化硅层和第一氮化硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||