亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法

摘要

本发明涉及亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法，其不同之处在于以Si—Mg前驱体与叠氮钠进行加热密封反应，控制参与反应的Si：Mg：NaN3＝1：1-2.75：1-3.25，加热温度为450—600℃，反应时间为4—12小时，产物通过洗涤和干燥，即可得到颗粒状无规则的亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末。本发明与现有技术相比具有以下优点：1)氮化硅镁的合成路线与亚微米的多晶体生长同时进行，实现了温和的反应条件，制备过程也比较简单，特别是制备温度有很大程度的降低，从而能耗也大大减少；2)产物MgSiN2陶瓷粉形貌不规则、粒度达到亚微米级别、分布比较均匀，结晶程度好，纯度高，尺寸均匀。

主权项

亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法，其特征在于以Si‑Mg前驱体与叠氮钠进行加热密封反应，控制参与反应的Si∶Mg∶NaN3＝1∶1‑2.75∶1‑3.25，以上为摩尔比，加热温度为450‑600℃，反应时间为4‑12小时，产物通过洗涤和干燥，即可得到颗粒状无规则的亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末。