| 发明名称 | 去除氮氧化硅膜残留物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种去除氮氧化硅膜残留物的方法，该方法包括：晶圆的SiON膜上吸附组成成分为氧化物且具有电性的残留物；采用具有有机溶液胺的溶液对该晶圆的SiON膜清洗。本发明提供的方法可以干净去除氮氧化硅膜表面的残留物。 | ||
| 申请公布号 | CN101989545A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200910055941.4 | 申请日期 | 2009.08.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 傅俊;赖海长;张海青;王智东;冯森茂 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种去除氮氧化硅膜残留物的方法，该方法包括：晶圆的SiON膜上吸附组成成分为氧化物且具有电性的残留物；采用具有有机溶液胺的溶液对该晶圆的SiON膜清洗。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||