| 发明名称 | 不对称晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种不对称晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区；在所述有源区表面形成栅极结构；在所述有源区内、栅极结构两侧形成漏极区、源极区和介于源极区与漏极区之间的沟道区；在衬底表面形成覆盖所述漏极区、源极区和栅极结构的介质层；在介质层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀介质层直至形成暴露出漏极区的第一沟槽和暴露出源极区的第二沟槽；所述第二沟槽的线宽大于第一沟槽；以所述光刻胶图形为掩膜，对沟道区进行离子注入，形成口袋区，所述口袋区与源极区相邻，所述口袋区掺杂类型与源极区相反；在所述第一沟槽和第二沟槽内形成金属插塞。本发明能够节约掩膜版的费用投入，并且节约了工艺步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101989551A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200910056032.2 | 申请日期 | 2009.08.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邹立;罗飞 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种不对称晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区；在所述有源区表面形成栅极结构；在所述有源区内、栅极结构两侧形成漏极区、源极区和介于源极区与漏极区之间的沟道区；在衬底表面形成覆盖所述漏极区、源极区和栅极结构的介质层；在介质层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀介质层直至形成暴露出漏极区的第一沟槽和暴露出源极区的第二沟槽；所述第二沟槽的线宽大于第一沟槽；以所述光刻胶图形为掩膜，对沟道区进行离子注入，形成口袋区，所述口袋区与源极区相邻，所述口袋区掺杂类型与源极区相反；在所述第一沟槽和第二沟槽内形成金属插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||