发明名称 |
改良半导体可控硅 |
摘要 |
本实用新型公开了一种改良半导体可控硅,它包括铜电极片底座、设置在铜电极片底座上的两个铜引脚、焊接在铜电极片底座上的两个可控硅芯片、粘设在铜电极片底座上的塑封管帽。其中可控硅芯片之间用焊膏焊连接,可控硅芯片的门极和阴极分别通过金属丝用超声波焊接到二个铜引脚上,塑封管帽将整个可控硅芯片封装在铜电极片底座上,形成一个完整的可控硅。本实用新型提供的改良半导体可控硅结构设计合理、性能高,生产成本低、应用范围广泛,可满足高要求的标准,且形状结构精致,便于包装、运输和安装。 |
申请公布号 |
CN201773838U |
申请公布日期 |
2011.03.23 |
申请号 |
CN201020252351.9 |
申请日期 |
2010.07.07 |
申请人 |
宜兴市环洲微电子有限公司 |
发明人 |
左亚兵;伍林;潘建英 |
分类号 |
H01L25/07(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/07(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
柏尚春 |
主权项 |
一种改良半导体可控硅,其特征在于它包括铜电极片底座(1)、铜引脚(2)、可控硅芯片(3)和塑封管帽(4),所述两个铜引脚(2)设置在铜电极片底座(1)上,若干个可控硅芯片(3)焊接在铜电极片底座(1)上,各可控硅芯片(3)之间焊接在一起,其中每个可控硅芯片(3)的门极和阴极分别通过金属丝(5)用超声波焊接到二个铜引脚(2)上;塑封管帽(4)粘设在铜电极片底座(1)上并将所有可控硅芯片(3)封装在铜电极片底座(1)上形成一个完整的可控硅。 |
地址 |
214204 江苏省宜兴市新街街道绿洲南路宜兴市环洲微电子有限公司 |