| 发明名称 | 形成半导体装置的方法及形成半导体晶片电性连接的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成半导体装置的方法及形成半导体晶片电性连接的方法。该形成半导体晶片电性连接的方法包含：提供一半导体晶片，该半导体晶片包含一绝缘层，其中该绝缘层具有一表面；一图形化掩模层形成于该绝缘层的该表面上，并经由多个贯孔露出该绝缘层的部分该表面；形成一包含铜的金属材料构成的长条柱突出于该绝缘层的表面，并填入所述多个贯孔，其中该金属材料构成的长条柱具有一侧壁表面；移除该绝缘层露出该金属材料构成的长条柱的该侧壁表面；以及，一保护层形成于该金属材料构成的长条柱所露出的该侧壁表面上。本发明可获得稳固电连接表现。 | ||
| 申请公布号 | CN101989556A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN201010235676.0 | 申请日期 | 2010.07.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘重希;郑心圃;李明机;余振华 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种形成半导体晶片电性连接的方法，包含：提供一半导体晶片，该半导体晶片包含一绝缘层，其中该绝缘层具有一表面；形成一包含铜的金属材料构成的长条柱突出于该绝缘层的表面，其中该金属材料构成的长条柱具有一侧壁表面；以及通过一无电镀工艺来形成一保护层于该金属材料构成的长条柱的侧壁表面上，其中该保护层包含锡。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||