| 发明名称 | 形成半导体互联结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成半导体互联结构的方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有内金属层，内金属层上具有电介质层；于氧化氛围下在电介质层上刻蚀出通孔直至暴露内金属层；用还原性等离子体处理所述内金属层；在通孔中填充导电材料。本发明通过对半导体金属互联结构中被氧化的内金属层进行原位还原，防止后续工艺步骤中的酸性氛围对内金属层的腐蚀，并提高制造出的半导体器件的可靠性、降低延时和增加时钟频率。 | ||
| 申请公布号 | CN101587859B | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200810112509.X | 申请日期 | 2008.05.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 周鸣;尹晓明 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种形成半导体互联结构的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有内金属层，内金属层上具有电介质层；于氧化氛围下在电介质层上刻蚀出通孔直至暴露内金属层；用含有氢的还原性等离子体处理所述内金属层，且所述含有氢的等离子体处理所述内金属层的工艺条件为氢气的流量180sccm至220sccm；压力为15mTorr至25mTorr；功率为600W至1000W；时间为15秒至25秒；在通孔中填充金属材料。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||