| 发明名称 | 改善表面的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及改善半导体衬底表面的方法，所述的表面至少包含部分硅。本发明的目的是提供改善半导体硅衬底表面的方法，所述的表面至少包含部分硅，其中用该方法使半导体衬底表面或其内部的缺陷能得以真正修复，以提供具有高表面性能的半导体衬底。本发明的目的用上述类型的方法能够达成，其中该方法包括沉积步骤，其包括在所述的半导体衬底表面的至少一个孔中进行选择性外延沉积。 | ||
| 申请公布号 | CN101192510B | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200710186828.0 | 申请日期 | 2007.11.22 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | W·林 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/30(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种改善半导体衬底(1、10、11)表面(6)的方法，所述表面(6)至少由部分硅构成，所述方法包括：沉积步骤，其包括在所述的半导体衬底(1、10、11)表面(6)上的至少一个孔(7、17、37、47)中进行选择外延沉积；蚀刻步骤，该步骤在沉积步骤前应用于半导体衬底表面(6)上，所述蚀刻步骤包括蚀刻除去半导体衬底(1、10、11)表面(6)上的至少一个缺陷(2)，以形成表面(6)上的至少一个孔(7、17、37、47)。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||