| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括化合物半导体基板、n-沟道场效晶体管区域以及p-沟道场效晶体管区域。n-沟道场效晶体管区域形成在化合物半导体基板上并且包括：第一沟道层；n型第一势垒层，与第一沟道层形成异质结并且供应n型电荷到第一沟道层；及p型栅极区域，具有相对于n型第一势垒层的pn结型势垒。p-沟道场效晶体管区域形成在化合物半导体基板上并且包括：p型第二沟道层；以及n型栅极区域，具有相对于p型第二沟道层的pn结型势垒。 | ||
| 申请公布号 | CN101989601A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN201010239539.4 | 申请日期 | 2010.07.27 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 玉利慎一;中村光宏;胁园幸二;西田知矢;指宿勇二 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8252(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：化合物半导体基板；n‑沟道场效晶体管区域，形成在所述化合物半导体基板上，并且包括：第一沟道层；n型第一势垒层，与所述第一沟道层形成异质结并且供应n型电荷到所述第一沟道层；以及p型栅极区域，具有相对于所述n型第一势垒层的pn结型势垒；以及p‑沟道场效晶体管区域，形成在所述化合物半导体基板上，并且包括：p型第二沟道层；和n型栅极区域，具有相对于所述p型第二沟道层的pn结型势垒。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||