掩模版图校正方法、掩模版图和掩模版制造方法

摘要

一种掩模版图校正方法、掩模版图和掩模版制造方法，其中，所述掩模版图校正方法，包括：对掩模版图进行检查，选出其中间距小于光刻设备分辨率的至少一对掩模版图案对；从每一对掩模版图案对中选出一个掩模版图案，根据旁瓣效应，形成与所述选出的掩模版图案对应的至少两个辅助图案，以替换所述选出的掩模版图案；其中，所述辅助图案的尺寸小于光刻设备分辨率尺寸，且所述辅助图案的中心位于以所述掩模版图案中心为圆心、旁瓣距离为半径的圆周上。本发明通过构建辅助图形，使得仅采用一次曝光就能够实现其关键尺寸小于光刻设备分辨率的图形的转移，节省了大量人力和时间，提高了生产效率，节约了成本。

主权项

一种掩模版图校正方法，包括：对掩模版图进行检查，选出其中间距小于光刻设备分辨率的至少一对掩模版图案对；从每一对掩模版图案对中选出一个掩模版图案，根据旁瓣效应，形成与所述选出的掩模版图案对应的至少两个辅助图案，以替换所述选出的掩模版图案；其中，所述辅助图案的尺寸小于光刻设备分辨率尺寸，且所述辅助图案的中心位于以所述掩模版图案中心为圆心、旁瓣距离为半径的圆周上。