一种碳纳米管制备装置及方法

摘要

本发明提供一种碳纳米管制备装置，其包括：一反应腔；一对位于反应腔内之第一电极及第二电极，用于产生一电场，该第一电极与第二电极相对设置，且该第一电极可沿远离第二电极的方向移动；一个基底，该基底表面形成有用于生长碳纳米管的催化剂层，该基底设置于该第一电极上，且该催化剂层面向该第二电极；一传动装置，用于在碳纳米管沿平行于该电场方向的方向生长的过程中沿远离该第二电极的方向移动该第一电极来增大第一电极与第二电极之间的垂直距离，以使碳纳米管生长尖端保持在一预定反应区域内，并沿平行于该电场方向的方向生长。本发明还提供一种利用上述装置的碳纳米管制备方法。该碳纳米管制备方法可实现超长碳纳米管的准直性生长。

主权项

一种碳纳米管制备装置，用于生长碳纳米管，其包括：一反应腔；一对相对设置的第一电极及第二电极，其位于反应腔内，用于产生一电场，该第一电极可沿远离第二电极的方向移动；一个基底，该基底表面形成有用于生长碳纳米管的催化剂层，该基底设置于该第一电极上，且该催化剂层面向该第二电极；一传动装置，用于在碳纳米管沿平行于该电场方向的方向生长的过程中沿远离该第二电极的方向移动该第一电极来增大第一电极与第二电极之间的垂直距离，以使碳纳米管生长尖端保持在一预定反应区域内，并沿平行于该电场方向的方向生长。