接触孔的两次图形曝光方法

摘要

本发明公开了一种接触孔的两次图形曝光方法，步骤为：1.光刻；2.刻蚀；3.剥离剩余的光刻胶；4.采用湿法可显影填充材料涂覆硅片表面，填充第一次刻蚀后的间隙；5.显影涂覆了湿法可显影填充材料后的硅片，并实现硅片的表面平整表现；6.则继续显影，直至填充材料被全部去除；7.涂覆光刻胶，第二次光刻；8.第二次刻蚀；9.剥离光刻胶、湿法可显影填充材料，并清洗。本发明采用湿法可显影的填充材料填充第一次刻蚀的间隙，提高了第二次图形曝光的效果。

主权项

一种接触孔的两次图形曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在待刻蚀的表面形成有前层介质膜的硅衬底上方涂覆光刻胶并进行第一次光刻；第二步，利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层，进行第一次刻蚀，刻蚀多晶硅栅极的接触孔；第三步，剥离剩余的光刻胶；第四步，采用湿法可显影填充材料涂覆硅衬底表面，填充第一次刻蚀后的间隙；第五步，用显影液显影涂覆了湿法可显影填充材料后的硅衬底，并移除待刻蚀硅衬底表面的填充材料，实现硅衬底的表面平整表现；第六步，检测显影表现，如发现硅衬底表面上仍然存在第四步中的填充材料，则继续用显影液显影，直至填充材料被全部去除；第七步：涂覆光刻胶，并进行第二次光刻；第八步，利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层，进行第二次刻蚀，刻蚀源漏区域的接触孔；第九步，剥离剩余的光刻胶、湿法可显影填充材料，并清洗。