一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构

摘要

一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构，属于半导体技术领域，包括半导体衬底、外延层、第一、第二源掺杂区、沟道区、夹层电介质层，覆盖在半导体衬底上表面用于引出两源电极和栅极的金属层以及覆盖半导体衬底底面的背金属层。其中，位于源掺杂区下方的沟道区相互隔开，形成双沟道，位于外延层表面的源电极相互断开，分别用作测试用源电极和测试用漏电极。通过测试用源电极与测试用漏电极作为输出电极进行测试，有效实现对垂直双扩散MOS晶体管实际参数的监控，并克服研磨后表征的困难，统一测试程序，从而进一步降低维护、开发成本，提高产品测试、反馈的效率。

主权项

一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构，包括：第一导电类型的半导体衬底，位于半导体衬底上表面的第一导电类型的外延层，位于外延层表面的第一导电类型的第一源掺杂区和第二源掺杂区，位于所述第一源掺杂区下方的第二导电类型的第一源沟道区和位于所述第二源掺杂区下方的第二导电类型的第二源沟道区，覆盖栅极表面的夹层电介质层，覆盖在外延层表面用于引出第一源电极和第二源电极的金属层以及覆盖半导体衬底底面、用于引出漏电极的背金属层，其特征在于，所述第一源电极和所述第二源电极相互断开，所述第一源沟道区和所述第二源沟道区相互隔开。