发明名称 |
固态摄像元件及其制造方法及包括该摄像元件的摄像装置 |
摘要 |
本发明提供一种固态摄像元件及其制造方法以及摄像装置,该固态摄像元件包括:半导体层,其中形成用于执行光电转换的光敏二极管;第一膜,包含负固定电荷,并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在至少形成有光敏二极管的区域中的半导体层上;第二膜,包含负固定电荷,并且利用物理气相沉积法形成在其中包含负固定电荷的第一膜上;以及第三膜,包含负固定电荷,并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在其中包含负固定电荷的第二膜上。 |
申请公布号 |
CN101989611A |
申请公布日期 |
2011.03.23 |
申请号 |
CN201010239532.2 |
申请日期 |
2010.07.27 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
押山到;宫田英治 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种固态摄像元件,包括:半导体层,在该半导体层中形成用于执行光电转换的光敏二极管;第一膜,包含负固定电荷,并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在至少形成有所述光敏二极管的区域中的所述半导体层上;第二膜,包含负固定电荷,并且利用物理气相沉积法形成在其中包含所述负固定电荷的所述第一膜上;以及第三膜,包含负固定电荷,并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在其中包含所述负固定电荷的所述第二膜上。 |
地址 |
日本东京都 |