一种制备石墨烯薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备石墨烯薄膜的方法。该方法包括下述步骤：1)将含碳金属蒸镀到具有热氧化层的硅基底上，形成金属薄膜；所述含碳金属中碳的质量百分含量为0.002-0.02％；2)将步骤1)得到的蒸镀了金属薄膜的硅基底置于真空退火炉中，在温度为900-1100℃、压力为10-4-10-2Pa的条件下进行退火处理，得到了依次由石墨烯-金属薄膜-热氧化层-硅基底组成的样品；其中，所述退火的时间为5-100分钟；3)然后将步骤2)中所述样品中的金属薄膜刻蚀掉，得到石墨烯薄膜。本发明利用碳在金属基底中扩散、析出的原理，简单、高效地将包藏在金属基底中的碳以石墨烯的形式析出，通过工艺条件的控制，得到面积大、层数分布均匀的石墨烯导电薄膜。该方法可用于芯片级石墨烯的规模批量制备。

主权项

一种制备石墨烯薄膜的方法，包括下述步骤：1)将含碳金属蒸镀到具有热氧化层的硅基底上，形成金属薄膜；所述含碳金属中碳的质量百分含量为0.002‑0.02％；2)将步骤1)得到的蒸镀了金属薄膜的硅基底置于真空退火炉中，在温度为900‑1100℃、压力为10‑4‑10‑2Pa的条件下进行退火处理，得到了依次由石墨烯‑金属薄膜‑热氧化层‑硅基底组成的样品；其中，所述退火的时间为5‑100分钟；3)然后将步骤2)中所述样品中的金属薄膜刻蚀掉，得到石墨烯薄膜。