发明名称 用于真空腔室中样品形成和微观分析的方法和设备
摘要 公开了用于形成物体的样品、从物体提取样品以及在真空腔室中对所述样品进行包括表面分析和电子透明度分析的微观分析的方法和装置。在一些实施例中,提供一种成像提取样品的物体横截表面的方法。可选择地,在真空腔室中重复地变薄和成像样品。在一些实施例中,样品位于具有可选择孔隙的样品支撑件上。可选择地,样品位于样品支撑件的表面之上,以使物体横截表面基本上平行于样品支撑件的表面。一旦装配于样品支撑件之上,在真空腔室中对样品进行微观分析或装载于装载位置。在一些实施例中,利用基本上垂直地入射至物体横截表面的电子束成像样品。
申请公布号 CN1782690B 申请公布日期 2011.03.23
申请号 CN200510109823.9 申请日期 2005.07.14
申请人 应用材料以色列公司 发明人 K·艾坦;S·德罗
分类号 G01N1/28(2006.01)I;G01N13/10(2006.01)I;G01N23/225(2006.01)I;H01J37/26(2006.01)I 主分类号 G01N1/28(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 李玲
主权项 一种用于形成、提取和成像物体的样品的设备,所述设备包括:a)真空腔室;b)用于形成样品的离子束源,至少部分地位于所述真空腔室中;c)用于提取和控制样品的机器人控制器,至少部分位于所述真空腔室中,以及d)用于成像样品的第一电子显微装置,以使电子束的至少第一部分穿过样品的至少一部分,第一电子显微装置至少部分位于所述真空腔室中;e)至少一个用于支撑所述物体的平台;f)用于支撑所述样品的样品支撑件,其中所述样品支撑件包括一电子束能够通过的孔隙;g)用于发射所述电子束的电子束源,至少部分地位于所述真空腔室中,以及h)用于检测从所述电子束的所述第一部分获得电子的电子检测装置,至少部分地位于所述真空腔室中,其中所述电子束源位于样品支撑件的上表面上方,而所述电子检测装置位于样品支撑件的上表面下方。
地址 以色列瑞哈佛特市