| 发明名称 | CMOS图像传感器介质层的抛光方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS图像传感器介质层的抛光方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有介质层，所述介质层表面具有凸起，所述凸起与凸起之间形成沟槽；在所述介质层表面形成底部抗反射层；在所述介质层表面和底部抗反射层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖凸起；去除部分光刻胶层直至暴露出凸起；以所述底部抗反射层和光刻胶层为掩膜，刻蚀介质层直至刻蚀至沟槽底部；去除所述底部抗反射层和光刻胶层；对所述介质层执行化学机械抛光。本发明能够提高CMOS图像传感器的敏感度。 | ||
| 申请公布号 | CN101989575A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200910056029.0 | 申请日期 | 2009.08.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 罗飞;邹立 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种CMOS图像传感器介质层的抛光方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有介质层，所述介质层表面具有凸起，所述凸起与凸起之间形成沟槽；在所述介质层表面形成底部抗反射层；在所述介质层表面和底部抗反射层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖凸起；去除部分光刻胶层直至暴露出凸起；以所述底部抗反射层和光刻胶层为掩膜，刻蚀介质层直至刻蚀至沟槽底部；去除所述底部抗反射层和光刻胶层；对所述介质层执行化学机械抛光。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||