一种双镶嵌结构的制造方法

摘要

本发明提供了一种双镶嵌结构的制造方法，其制造在半导体器件的金属导线层上。现有技术中无法通过一刻蚀步骤同时制成通孔和沟槽，存在着工艺复杂和器件劣化的现象。本发明先在该金属导线层上依次沉积第一刻蚀终止层、第一层间介质层和第二刻蚀终止层；再光刻出通孔图形；接着进行刻蚀工艺以在第二刻蚀终止层上形成通孔图形凹槽；之后去除光刻胶且沉积第二层间介质层；然后涂布光刻胶并光刻出沟槽图形；接着进行刻蚀工艺以形成通孔和沟槽；再去除光刻胶并进行刻蚀工艺以使该通孔通至该金属导线层，接着在通孔和沟槽壁上制作扩散阻挡层；然后在通孔和沟槽中沉积金属并通过化学机械抛光工艺去除通孔和沟槽外的金属。本发明可简化工艺并提高器件的性能。

主权项

一种双镶嵌结构的制造方法，其制造在半导体器件的金属导线层上，其包括以下步骤：a、在该金属导线层上制作介质层并在该介质层中制作双镶嵌结构对应的容置空间，该容置空间包括上下设置且连通的沟槽和通孔；b、在该容置空间壁上制作扩散阻挡层；c、在该容置空间中沉积金属；d、通过化学机械抛光工艺去除容置空间外的金属；其特征在于，该步骤a包括以下步骤：a1、在该金属导线层上依次沉积第一刻蚀终止层、第一层间介质层和第二刻蚀终止层；a2、在该第二刻蚀终止层上涂布光刻胶并光刻出通孔图形；a3、进行刻蚀工艺以在第二刻蚀终止层上形成通孔图形凹槽；a4、在第二刻蚀终止层上的通孔图形凹槽侧壁上制作刻蚀终止层侧墙，去除光刻胶且沉积第二层间介质层；a5、涂布光刻胶并光刻出沟槽图形；a6、进行刻蚀工艺以分别在第一和第二层间介质层上形成通孔和沟槽；a7、去除光刻胶并进行刻蚀工艺以使该通孔通至该金属导线层。