| 发明名称 | 系统级封装的方法 | ||
| 摘要 | 一种系统级封装方法，包括：提供一晶圆，晶圆上依次形成有层间介质层和焊盘，层间介质层和晶圆内有通孔；在层间介质层和通孔内形成绝缘介质层，且曝露出焊盘；在绝缘介质层和焊盘上形成金属层；在金属层上形成有机层，所述有机层填充满通孔；在有机层内形成与金属层连接的凸点；刻蚀金属层及有机层至露出绝缘介质层，形成金属连接点阵列。本发明提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101656219B | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200810041830.3 | 申请日期 | 2008.08.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄河;高大为;蒲贤勇;陈轶群;刘伟;谢红梅;杨广立;钟旻 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种系统级封装方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，晶圆上依次形成有层间介质层和焊盘，层间介质层和晶圆内有通孔；在层间介质层和通孔内形成绝缘介质层，且曝露出焊盘；在绝缘介质层和焊盘上形成金属层；在金属层上形成有机层，所述有机层填充满通孔；在有机层内形成与金属层连接的凸点；刻蚀金属层及有机层至露出绝缘介质层，形成金属连接点阵列。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江路18号 | ||