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Aparato fotovoltaico que incluye por lo menos una unidad de generación de energía que tiene una primera capa semiconductora no monocristalina de primer tipo de conductividad (3, 13, 43, 53, 63, 73, 83) que incluye por lo menos una capa, una segunda capa semiconductora no monocristalina substancialmente intrínseca (4, 14, 44, 54, 64, 74, 84), formada en dicha primera capa semiconductora no monocristalina, que incluye por lo menos una capa y que funciona como capa de conversión fotoeléctrica y una tercera capa semiconductora no monocristalina de segundo tipo de conductividad (5, 15, 45, 55, 65, 75, 85), formada sobre dicha segunda capa semiconductora no monocristalina, que incluye por lo menos una capa, caracterizado por el hecho de que por lo menos una de dicha capa que constituye dicha primera capa semiconductora no monocristalina, dicha capa que constituye dicha segunda capa semiconductora no monocristalina y dicha capa que constituye dicha tercera capa semiconductora no monocristalina presenta un plano de orientación de cristales preferido distinto de los planos de orientación de cristales preferidos del resto de capas.
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