| 主权项 |
一种光罩，包括：一主遮光图案，用以定义出多个条状的透光狭缝，其中该些透光狭缝的延伸方向实质上相同；以及多组微遮光图案，与该主遮光图案连接，且各组微遮光图案分别位于其中一个透光狭缝内，其中各组微遮光图案分别包括多个微遮光图案，且至少部分该些微遮光图案的延伸方向与该些透光狭缝的延伸方向夹一不约为90度之夹角。如申请专利范围第1项所述之光罩，其中该些透光狭缝成阵列排列，排列于偶数行中的该些透光狭缝在列方向上彼此对齐，而排列于奇数行中的该些透光狭缝在列方向上彼此对齐，且排列偶数行奇数行中的该些透光狭缝在列方向上彼此交错。如申请专利范围第1项所述之光罩，其中各该透光狭缝的宽度为约5微米至约100微米之间。如申请专利范围第1项所述之光罩，其中各该微遮光图案的的宽度为约0.1微米至约10微米之间。如申请专利范围第1项所述之光罩，其中至少部分该些微遮光图案的延伸方向与该些透光狭缝的延伸方向夹约45度之夹角。如申请专利范围第1项所述之光罩，其中该位于同一个透光狭缝内的该些微遮光图案的延伸方向不完全相同。一种形成多晶矽层的方法，包括：在一基板上形成一非晶矽层；提供一光罩，该光罩包括：一主遮光图案，用以定义出多个条状的透光狭缝，其中该些透光狭缝的延伸方向实质上相同；以及多组微遮光图案，与该主遮光图案连接，且各组微遮光图案分别位于其中一个透光狭缝内，其中各组微遮光图案分别包括多个微遮光图案，且至少部分该些微遮光图案的延伸方向与该些透光狭缝的延伸方向夹一不约为90度之夹角；以及提供一雷射，透过该光罩照射该基板。如申请专利范围第7项所述之形成多晶矽层的方法，其中该些透光狭缝成阵列排列，排列于偶数行中的该些透光狭缝在列方向上彼此对齐，而排列于奇数行中的该些透光狭缝在列方向上彼此对齐，且排列偶数行奇数行中的该些透光狭缝在列方向上彼此交错。如申请专利范围第7项所述之形成多晶矽层的方法，其中各该透光狭缝的宽度为约5微米至约100微米之间。如申请专利范围第7项所述之形成多晶矽层的方法，其中各该微遮光图案的的宽度为约0.1微米至约10微米之间。如申请专利范围第7项所述之形成多晶矽层的方法，其中至少部分该些微遮光图案的延伸方向与该些透光狭缝的延伸方向夹约45度之夹角。如申请专利范围第7项所述之形成多晶矽层的方法，其中该位于同一个透光狭缝内的该些微遮光图案的延伸方向不完全相同。一种电子装置之制造方法，包含如申请专利范围第7项所述之形成多晶矽层的方法。 |
