| 主权项 |
一种用于处理一基材之方法，该方法至少包含以下步骤：于该基材上沈积一阻障层，其中该阻障层包含矽和碳，且其具有低于4之介电常数；于该阻障层旁沈积一介电起始层，其中该介电起始层包含矽、氧和碳，且该介电起始层是在一第一温度下沉积；以及于该介电起始层旁沈积一第一介电层，其中该第一介电层包含矽、氧和碳，且其具有约在3或更低之介电常数，以及其中该第一介电层是在低于该第一温度的一第二温度下沉积。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该介电起始层藉由以下步骤沈积：将一第一制程气体引入一制程室中，并使该第一制程气体产生反应以沈积该介电起始层，其中该第一制程气体包含一有机矽化合物和一氧化气体。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该第一制程气体的该有机矽化合物化合物是八甲基环丁矽氧烷(octamethylcyclotetrasiloxane)。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该有机矽化合物乃择自以下所构成之群组：三甲基矽烷、四甲基矽烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷、2,2-双(1-甲基二矽氧基)丙烷、1,3,5,7-四甲基环丁矽氧烷、八甲基环丁矽氧烷、以及1,3,5,7,9-五甲基环戊矽氧烷。如申请专利范围第2项所述之方法，其中使该第一制程气体产生反应的步骤至少包含以下步骤：藉由一双频率RF能量来源产生一电浆。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该第一制程气体更至少包含一惰性气体。如申请专利范围第1项所述之方法，其中，在进行后续之处理前，以电子束处理该介电起始层。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该介电起始层包含矽、氧和碳且其以一第一沈积速率沈积，且其中该第一介电层乃以一第二沈积速率沈积，其中该第二沈积速率较第一沈积速率慢。一种用于处理一基材之方法，该方法至少包含以下步骤：于该基材上沈积一阻阵层，其中该阻障层包含矽和碳，且具有小于4的介电常数；于该阻障层旁沉积一介电起始层，其中该介电起始层为氧碳化矽层并藉由在一第一有机矽流速下将一第一制程气体引入一处理室中而沉积，该第一制程气体包含一有机矽化合物及一氧化化合物，以及使该第一制程气体产生反应；以及于该介电起始层旁沈积一第一介电层，其中该第一介电层包含矽、氧和碳，且其具有约在3或更低之介电常数并藉由在一第二有机矽流速下将一第二制程气体引入该处理室而沈积，该第二制程气体包含一有机矽化合物及一氧化化合物，并使该第二制程气体产生反应，其中该第二有机矽流速是大于该第一有机矽流速。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该第一制程气体的有机矽化合物是八甲基环丁矽氧烷，且该第二制程气体的有机矽化合物是八甲基环丁矽氧烷。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该第一制程气体的有机矽化合物是八甲基环丁矽氧烷。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该第二制程气体的有机矽化合物是八甲基环丁矽氧烷。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该第一制程气体的有机矽化合物与该第二制程气体的有机矽化合物是选自以下所构成的群组：三甲基矽烷、四甲基矽烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷、2,2-双(1-甲基二矽氧基)丙烷、1,3,5,7-四甲基环丁矽氧烷、八甲基环丁矽氧烷、以及1,3,5,7,9-五甲基环戊矽氧烷。如申请专利范围第9项所述之方法，其中在进行后续之处理前，以电子束处理该介电起始层。一种用于处理一基材之方法，该方法至少包含以下步骤：于该基材上沈积一阻障层，其中该阻障层之沈积乃藉由将一第一制程气体引入一制程室中，并使该第一制程气体产生反应，该第一制程气体包含一有机矽化合物；于该阻障层旁沈积一阻阵层中止层，其中该阻障层中止层之沉积乃藉由将一第二制程气体引入该制程室中，并使该第二制程气体产生反应，该第二制程气体至少包含一有机矽化合物和一氧化化合物，且其中该第二制程气体具有比该第一制程气体高的氧气浓度；以及于该阻障层中止层旁沈积一第一介电层，其中该第一介电层包含矽、氧和碳，且其具有约在3或更低之介电常数。如申请专利范围第15项所述之方法，其中，在进行后续之处理前，以电子束处理该阻障层中止层。如申请专利范围第16项所述之方法，其中，该电子束处理是对一300毫米的基材施加介于每平方公分约为50微库伦至每平方公分约为1600微库伦之间的剂量。如申请专利范围第15项所述之方法，其中，该第一制程气体与该第二制程气体的有机矽化合物为八甲基环丁矽氧烷。一种用于处理一基材的方法，包含以下步骤：于该基材上沈积一阻障层，其中该阻障层包含矽和碳；于该阻障层旁沈积一介电起始层，其中该介电起始层为氧碳化矽层，且该介电起始层是藉由在一第一有机矽化合物流速下将一第一制程气体引入一制程室而沉积，该第一制程气体包含一有机矽化合物及一氧化气体，并使该第一制程气体产生反应；以及在该介电起始层旁沉积一第一介电层，其中该第一介电层包含矽、氧、和碳，并具有约在3或更低之介电常数，且该第一介电层是藉由在一第二有机矽化合物流速下将一第二制程气体引入该制程室中，该第二制程气体包含一有机矽化合物及一氧化气体，并使该第二制程气体产生反应，其中该第二有机矽化合物流速是大于该第一有机矽化合物流速。 |
