| 主权项 |
一种制造一记忆体装置之方法，该方法包括：在一基板上形成一材料层，该材料层系可选择地蚀刻为一闸材料；在该材料层中形成一开口；形成一第一电荷储存结构与一第二电荷储存结构，藉由透过该开口蚀刻一电荷储存材料层以在该电荷储存材料层中形成一开口来形成该第一电荷储存结构与该第二电荷储存结构，其中该第一电荷储存结构包括在蚀刻与定位于该电荷储存材料层之该开口之一第一侧上之后剩余之该电荷储存材料层之至少一部分，并且其中该第二电荷储存结构包括在蚀刻与定位于该电荷储存材料层之该开口之一第二侧上之后剩余之该电荷储存材料层之至少一部分；形成一闸，其中形成该闸包括在该材料层之该开口中沈积该闸材料以形成该闸之至少一部分，其中该闸之该部分包括位于该第一电荷储存结构之至少一部分之上以及该第二电荷储存结构之至少一部分之上之一部分。一种记忆体装置，其包括：一基板；一位于该基板上之闸；一位于该基板上之第一电荷储存结构，该第一电荷储存结构之至少一部分位于该闸之一第一部分下面；一位于该基板上之第二电荷储存结构，该第二电荷储存结构之至少一部分位于该闸之一第二部分下面，该第二电荷储存结构与该第一电荷储存结构在位置上相分离；其中该闸包括一位于该闸之该第一部分与该闸之该第二部分之间之第三部分；一闸电介质，该闸电介质之一第一部分位于该基板与该第一电荷储存结构之间，该闸电介质之一第二部分位于该基板与该第二电荷储存结构之间，该闸电介质之一第三部分位于该基板与该闸之该第三部分之间，其中该闸电介质之该第三部分位于该闸最接近该基板之位置，该闸电介质之该第三部分之厚度不同于该闸电介质之该第一部分之厚度以及该闸电介质之该第二部分之厚度。一种制造一记忆体装置之方法，该方法包括：在一基板上与在一电荷储存材料层上形成一材料层；图案化一位于该材料层中之开口；在该电荷储存材料层上之该开口之一第一侧上形成一第一侧壁间隔；在该电荷储存材料层上之该开口之一第二侧上形成一第二侧壁间隔，藉由一空间而使得该第二侧壁间隔与该第一侧壁间隔相分离；形成一第一电荷储存结构与一第二电荷储存结构，形成该第一电荷储存结构与该第二电荷储存结构之步骤包括透过位于该第一侧壁间隔与该第二侧壁间隔之间之空间来蚀刻该电荷储存材料层以形成位于该电荷储存材料层中之开口，其中该第一电荷储存结构包括位于该第一侧壁间隔下面并经过蚀刻后所剩余之该电荷储存材料层之至少一部分，并且该第二电荷储存结构包括位于该第二侧壁间隔下面并经过蚀刻后所剩余之该电荷储存材料层之至少一部分；形成一闸，其中该闸包括位于该第一电荷储存结构之至少一部分上之一部分以及位于该第二电荷储存结构之至少一部分上之一部分。 |
