| 主权项 |
一种蚀刻设备，包含：一反应腔座，包括一底壁面、一顶壁面，以及一连接于底壁面与顶壁面间的周壁面，该底壁面、顶壁面与周壁面共同界定出一真空腔室；一电极单元，位于真空腔室内，并包括一安装于顶壁面的上电极，以及一安装于底壁面的下电极；及一挡板单元，位于真空腔室内，并包括一邻近且环绕该周壁面的基板层，以及一结合于基板层上并邻近该真空腔室的熔射涂层。依据申请专利范围第1项所述之蚀刻设备，其中，该熔射涂层的厚度范围是介于50~1000 μm，且该熔射涂层的材料是选自：Al、Y、Cr、Zr、Ti之氧化物及W、Cr、Ti、V、Si之碳化物。 |
