| 主权项 |
一种图案化一含有多数个场的基材之方法，该方法包含：配置一第一体积的流体于该基材之该多数个场的第一次组上，而使该第一体积的流体承受一第一蒸发时间；配置一第二体积的流体于该基材之该多数个场中不同于该第一次组的第二次组上，而使该第二体积的流体承受一不同于第一蒸发时间的第二蒸发时间；及图案化该多数个场的该第一次组，而形成一第一图案化层；及图案化该多数个场的该第二次组，而形成一第二图案化层；其中该第一体积的流体及该第二体积的流体系相对于该等第一及第二蒸发时间加以决定，以致于与该第一图案层相关联的体积实质上相似于与该第二图案层相关联的体积。如申请专利范围第1项之方法，更包括将该第一和第二体积的流体同时地分别配置在该多数个场的第一和第二次组上。如申请专利范围第1项之方法，更包括在将该第二体积的流体配置于该多数个场的第二次组上之前先将该第一体积的流体配置于该多数个场的第一次组上。如申请专利范围第1项之方法，其中该图案化步骤更包括以一其中具有一图案的模来接触该流体。如申请专利范围第1项之方法，其中有一该多数个场的第三次组系不同于该多数个场的第一和第二次组，而会包围该多数个场的第一次组，且该第三次组系实质上没有流体。如申请专利范围第1项之方法，其中有一该多数个场的第三次组系不同于该多数个场的第一和第二次组，而会包围该多数个场的第二次组，且该第三次组系实质上没有流体。如申请专利范围第1项之方法，其中该配置步骤更包括将该流体配布成多数的细滴。一种图案化一含有多数个场的基材之方法，该方法包含：配置一第一体积的流体于该基材之该多数个场的第一次组上；配置一第二体积的流体于该基材之该多数个场中不同于该第一次组的第二次组上；及图案化该多数个场的第一次组，而形成一第一图案化层；及图案化该多数个场的第二次组，而形成一第二图案化层；其中该第一体积的流体及该第二体积的流体系相对于该等第一及第二蒸发时间加以决定，以致于与该第一图案层相关联的体积实质上相似于与该第二图案层相关联的体积。如申请专利范围第8项之方法，更包括将该第一和第二体积的流体同时地分别配置在该多数个场的第一和第二次组上。如申请专利范围第8项之方法，更包括在将该第二体积的流体配置于该多数个场的第二次组上之前先将该第一体积的流体配置于该多数个场的第一次组上。如申请专利范围第8项之方法，其中该图案化步骤更包括以一其中具有一图案的模来接触该流体。如申请专利范围第8项之方法，其中有一该多数个场的第三次组系不同于该多数个场的第一和第二次组，而会包围该多数个场的第一次组，且该第三次组系实质上没有流体。如申请专利范围第8项之方法，其中有一该多数个场的第三次组系不同于该多数个场的第一和第二次组，而会包围该多数个场的第二次组，且该第三次组系实质上没有流体。如申请专利范围第8项之方法，其中该配置步骤更包括将该流体配布成多数的细滴。一种在一奈米压印微影系统中图案化一含有多数个场的基材之方法，该方法包含：配置一第一体积的奈米压印流体于该基材之该多数个场的第一次组上；配置一第二体积的奈米压印流体于该基材之该多数个场中不同于该第一次组的第二次组上，而该第二体积系大于该第一体积；及图案化该多数个场的第一次组，而形成一第一图案化层；及图案化该多数个场的第二次组，而形成一第二图案化层；其中该第一体积的流体及该第二体积的流体系相对于该等第一及第二蒸发时间加以决定，以致于与该第一图案层相关联的体积实质上相似于与该第二图案层相关联的体积。如申请专利范围第15项之方法，更包括将该第一和第二体积的奈米压印流体同时地分别配置在该多数个场的第一和第二次组上。如申请专利范围第15项之方法，更包括在将该第二体积的奈米压印流体配置于该多数个场的第二次组之前先将该第一体积的奈米压印流体配置于该多数个场的第一次组上。如申请专利范围第15项之方法，其中该图案化步骤更包括以一其中具有一图案的奈米压印模总成来接触该流体。如申请专利范围第15项之方法，其中有一该多数个场的第三次组系不同于该多数个场的第一和第二次组，而会包围该多数个场的第一次组，且该第三次组系实质上没有流体。如申请专利范围第15项之方法，其中有一该多数个场的第三次组系不同于该多数个场的第一和第二次组，而会包围该多数个场的第二次组，且该第三次组系实质上没有流体。如申请专利范围第15项之方法，其中该配置步骤更包括将该奈米压印流体配布成多数的细滴。 |
