发明名称 压电共振器及其制造方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.03.21
申请号 TW096114983 申请日期 2007.04.27
申请人 爱普生拓优科梦股份有限公司 发明人 土户健次
分类号 H03H9/19 主分类号 H03H9/19
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项 一种压电共振器,其特征在于具备有:共振器基板;基座基板,支持上述共振器基板;盖子基板,覆盖上述共振器基板中之与对向于上述基座基板之面相反的面;第1激励电极,形成在上述共振器基板之对向于上述盖子基板的面;和第2激励电极,形成在上述共振器基板之对向于上述基座基板的面;而在上述共振器基板之对向于上述基座基板的面,设有第3电极,该第3电极藉由形成在上述共振器基板之侧面的凹部,形成与上述第1激励电极电性连接,上述共振器基板由石英晶体形成;且上述凹部经由对上述石英晶体进行湿式蚀刻而形成,上述共振器基板在作为上述石英晶体之结晶轴的X轴方向,具有上述侧面;上述凹部形成在位于上述X轴之正方向的上述侧面。一种压电共振器之制造方法,其特征在于包含有:基体准备步骤,准备共振器基体、基座基体和盖子基体;共振器基体形成步骤,在上述共振器基体形成多个之共振片和与各个上述共振片对应之穿通孔;激励电极形成步骤,在上述共振器基体形成步骤之后,在上述共振器基体之一边主面且在上述共振片之至少一部份,形成第1激励电极,在上述穿通孔之内面之至少一部份,形成与上述第1激励电极连接之电极,在上述共振器基体之另外一边主面且在上述共振片之至少一部份,形成第2激励电极,在上述另外一边主面之一部份,形成第3电极,在上述穿通孔之内面之至少一部份,形成与上述第3电极连接之电极,在上述穿通孔之上述内面,使上述第1激励电极和上述第3电极电性连接;基座基体形成步骤,在上述基座基体形成与上述穿通孔对应之多个孔;接合步骤,使上述盖子基体接合在上述共振器基体之形成有上述第1激励电极的面,并使上述基座基体接合在上述共振器基体之形成有上述第2激励电极的面,而使上述对应之孔对应到上述共振片;和切断步骤,切断上述接合步骤后之上述盖子基体,上述共振器基体和上述基座基体,以使与上述穿通孔对应之上述共振片侧之上述穿通孔之上述内面之一部份残留,而获得多个之压电共振器。如申请专利范围第2项之压电共振器之制造方法,其中,上述共振器基体形成步骤包含有:第1耐蚀膜形成步骤,在上述共振器基体之两个主面,形成第1耐蚀膜;穿通孔部图案制作步骤,除去让上述穿通孔形成的穿通孔部之上述第1耐蚀膜;穿通孔形成步骤,在上述第1耐蚀膜被除去之上述穿通孔部,形成上述穿通孔;反相平台(inverted-mesa)部图案制作步骤,除去让上述共振片形成的反相平台部之上述第1耐蚀膜;反相平台形成及穿通孔扩大步骤,对上述第1耐蚀膜被除去之上述反相平台部进行蚀刻藉以形成反相平台,同时进行使上述穿通孔扩大之蚀刻;耐蚀膜剥离后再形成步骤,剥离上述第1耐蚀膜,在上述第1耐蚀膜剥离后之上述共振器基体之表面,形成第2耐蚀膜;切出部图案制作步骤,除去上述共振片和上述共振器基体之间之切出部之上述第2耐蚀膜;切出步骤,对上述切出部进行蚀刻,用来形成切出;和上述第2耐蚀膜剥离步骤。如申请专利范围第2或3项之压电共振器之制造方法,其中,上述共振器基体由石英晶体形成;且上述蚀刻利用湿式蚀刻进行。如申请专利范围第4项之压电共振器之制造方法,其中,上述共振器基体形成有上述主面,成为与作为上述石英晶体之结晶轴的X轴平行;上述穿通孔对于上述共振片形成在上述X轴之正方向。
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