| 主权项 |
一种含金属的错合物，其由选自以下A、B和C所组成群组的结构所表示：@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!其中M为2-5价的金属基团，其中R1选自具有1-10个碳原子的烷基；R2选自氢、甲基和乙基所组成的群组；R3选自甲基和乙基所组成的群组；R4为C2-3亚烷基桥；R5-6独立地选自C1-4烷基及C1-4氟代烷基所组成的群组；n为等于金属M的化合价的整数；@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!其中M为选自钛、锆、铪、钒、铌和钽的金属离子；其中R1选自具有C1-4烷基及C1-4氟代烷基所组成的群组；R2选自氢及C1-4烷基所组成的群组；R3选自C1-4烷基及C1-4氟代烷基所组成的群组；R4为C2-3亚烷基桥；R5-6独立地选自C1-4烷基及C1-4氟代烷基所组成的群组；R7选自C1-4烷基及C1-4氟代烷基、环脂基和芳基所组成的群组；并且其中m和n至少为1，并且m和n的和等于金属M的化合价；和@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!其中M为硷土金属，其中R1选自具有1-10个碳原子的烷基及氟代烷基所组成的群组；R2-3独立地选自氢、C1-4烷基及C1-4烷氧基所组成的群组；R4-5独立地为C2-3亚烷基桥；R6-7独立地选自C1-4烷基及C1-4氟代烷基所组成的群组；并且X为氧或被氢、甲基或乙基取代的氮。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其中该错合物为结构A所示者，M选自钙、锶、钡、钪、钇、镧、钛、锆、钒、钨、锰、钴、铁、镍、钌、锌、铜、钯、铂、铱、铼和锇所组成的群组。如申请专利范围第2项的含金属的错合物，其中M选自钙、锶和钡所组成的群组。如申请专利范围第3项的含金属的错合物，其中R1选自第三丁基和第三戊基所组成的群组，R2为氢，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6独立地选自甲基和乙基所组成的群组。如申请专利范围第3项的含金属的错合物，其中M为锶，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第3项的含金属的错合物，其中M为锶，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为乙基。如申请专利范围第2项的含金属的错合物，其中M选自铁、钴和镍所组成的群组。如申请专利范围第7项的含金属的错合物，其中R1选自C1-6烷基所组成的群组，R2为氢，并且R5和R6独立地选自甲基和乙基所组成的群组。如申请专利范围第7项的含金属的错合物，其中M为钴，R1为甲基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第7项的含金属的错合物，其中M为钴，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第7项的含金属的错合物，其中M为钴，R1为甲基，R2为氢和R3为甲基，R4为C3亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第7项的含金属的错合物，其中M为钴，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C3亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第7项的含金属的错合物，其中M为镍，R1为甲基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第7项的含金属的错合物，其中M为镍，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第7项的含金属的错合物，其中M为镍，R1为甲基，R2为氢和R3为甲基，R4为C3亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第7项的含金属的错合物，其中M为镍，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C3亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第2项的含金属的错合物，其中M选自Y及La所组成的群组。如申请专利范围第17项的含金属的错合物，其中R1选自C1-5烷基所组成的群组，R2为氢，并且R5和R6独立地选自甲基和乙基所组成的群组。如申请专利范围第17项的含金属的错合物，其中M为Y，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第17项的含金属的错合物，其中M为Y，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C3亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第17项的含金属的错合物，其中M为La，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第17项的含金属的错合物，其中M为La，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C3亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其中该错合物为结构B所示者，其中R1选自C1-5烷基所组成的群组，R2为氢和R3独立地选自甲基和乙基所组成的群组，并且R5和R6独立地选自甲基和乙基所组成的群组，并且R7选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、第二丁基和第三丁基所组成的群组。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其中该错合物为结构B所示者，其中M为Ti，R1为甲基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其中该错合物为结构B所示者，其中M为Hf，R1为甲基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其中该错合物为结构B所示者，其中M为Zr，R1为甲基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其中该错合物为结构B所示者，其中M为Ti，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其中该错合物为结构B所示者，其中M为Hf，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其中该错合物为结构B所示者，其中M为Zr，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4为C2亚烷基桥，并且R5和R6为甲基。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其中该错合物为结构C所示者，其中M选自Ca、Sr和Ba所组成的群组。如申请专利范围第30项的含金属的错合物，其中R1选自第三丁基和第三戊基所组成的群组，R2为氢和R3为甲基，R4和R5各自为C2亚烷基桥，并且R6和R7独立地选自甲基和乙基所组成的群组，并且X选自氧和NCH3所组成的群组。如申请专利范围第30项的含金属的错合物，其中M为Ba，R1为第三丁基，R2为氢和R3为甲基，R4和R5各自为C2亚烷基桥，R6和R7为甲基，并且X=NCH3。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其溶于选自下列群组的溶剂中：具有1-20个乙氧基-(C2H4O)-重复单元的甘醇二甲醚溶剂；C2-C12链烷醇；选自含有C1-C6烷基部分的二烷基醚、C4-C8环醚所组成群组的有机醚；C12-C60冠O4-O20醚，其中字首Ci范围为醚化合物中的碳原子数i，并且尾码Oi范围为醚化合物中的氧原子数i；C6-C12脂肪烃；C6-C18芳香烃；有机酯；有机胺；多胺和有机醯胺所组成的群组。如申请专利范围第1项的含金属的错合物，其溶于一溶剂，该溶剂为选自下列群组的有机醯胺：N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮和N-环己基-2-吡咯烷酮所组成的群组。一种用于在基材上形成共形金属氧化物薄膜的气相沈积方法，其中将前驱物源和含氧剂引入到沈积室中，并将金属氧化物薄膜沈积到基材上，其改进包括使用如申请专利范围第1项的含金属的错合物作为所述前驱物源。如申请专利范围第35项的方法，其中该气相沈积方法选自化学气相沈积和原子层沈积所组成的群组。如申请专利范围第35项的方法，其中该含氧剂选自水、O2、H2O2、臭氧及其混合物所组成的群组。一种用于在基材上形成共形金属薄膜的气相沈积方法，其中将前驱物源和还原剂引入到沈积室中，并将金属薄膜沈积到基材上，其改进包括使用如申请专利范围第1项的含金属的错合物作为所述前驱物源。如申请专利范围第38项的方法，其中该还原剂选自氢、肼、单烷基肼、二烷基肼、氨及其混合物所组成的群组。一种用于在基材上形成共形金属氧化物薄膜的气相沈积方法，其中将前驱物源的溶液和含氧剂引入到沈积室中，并将金属氧化物薄膜沈积到基材上，其改进包括使用由申请专利范围第1项的含金属的错合物溶于一种溶剂中所构成的溶液，该溶剂选自：具有1-20个乙氧基-(C2H4O)-重复单元的甘醇二甲醚溶剂；C2-C12链烷醇；选自含有C1-C6烷基部分的二烷基醚、C4-C8环醚所组成群组的有机醚；C12-C60冠O4-O20醚，其中字首Ci范围为醚化合物中的碳原子数i，并且尾码Oi范围为醚化合物中的氧原子数i；C6-C12脂肪烃；C6-C18芳香烃；有机酯；有机胺；多胺和有机醯胺所组成的群组。一种用于在基材上形成共形金属薄膜的气相沈积方法，其中将前驱物源的溶液和还原剂引入到沈积室中，并将金属薄膜沈积到基材上，其改进包括使用由申请专利范围第1项的含金属的错合物溶于一种溶剂中所构成的溶液，该溶剂选自：具有1-20个乙氧基-(C2H4O)-重复单元的甘醇二甲醚溶剂；C2-C12链烷醇；选自含有C1-C6烷基部分的二烷基醚、C4-C8环醚所组成群组的有机醚；C12-C60冠O4-O20醚，其中字首Ci范围为醚化合物中的碳原子数i，并且尾码Oi范围为醚化合物中的氧原子数i；C6-C12脂肪烃；C6-C18芳香烃；有机酯；有机胺；多胺和有机醯胺所组成的群组。 |
