| 主权项 |
一种发光元件，其系包含：一工作区，其系经组态成可因应注入的电荷而产生光线；以及，一n型材料层与一p型材料层包含一经配置成可注射电荷至该工作区内的通道接面结构，且包含一第一半导体材料的n型通道接面层、一第二半导体材料的p型通道接面层、以及一在该等通道接面层之间的通道接面，该p型通道接面层中之一层至少用两种p型掺杂物掺杂，该等p型掺杂物中之至少一种有比其他p型掺杂物之游离能高的游离能。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中一n型掺杂物系选自：矽(Si)、硒(Se)、碲(Te)、氧(O)、硫(S)、锡(Sn)。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中该p型掺杂物系选自：镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、铍(Be)、镉(Cd)。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中该等至少两种p型掺杂物系使在该n型通道接面层与该p型通道接面层的界面处形成之空乏区的宽度最小化。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中使该p型材料层整个均匀地分布着该等至少两种p型掺杂物。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中依序使该等至少两种p型掺杂物分布于该p型材料层内。一种发光元件，其系包含：一工作区，其系经组态成可产生光线；一n型通道接面层；一p型通道接面层；以及，一在该等通道接面层之间的通道接面，其中在通道接面层邻近处该n型通道接面层与该p型通道接面层中之至少一层内故意制造的缺陷，系产生一在该p型通道接面层内之价电带与该n型通道接面层内之导电带之间的中带隙能态。如申请专利范围第7项所述之发光元件，其中该缺陷系促进由该p型通道接面层之价电带至该n型通道接面层之导电带的穿隧。一种发光元件，其系包含：一工作区，其系经组态成可产生光线；一n型通道接面层；一p型通道接面层；一在该等通道接面层之间的通道接面；以及，一在该n型通道接面层与该p型通道接面层之间的附加层，其中该附加层的带隙大体低于该n型通道接面层与该p型通道接面层的带隙。其中该附加层系促进由该p型通道接面层之价电带至该n型通道接面层之导电带的穿隧。且其中该附加层系选自：除液态金属汞与活性高钠之外的金属材料与半金属材料。如申请专利范围第9项所述之发光元件，其中该n型通道接面层是用一选自以下各物的掺杂物来掺杂：矽(Si)、硒(Se)、碲(Te)、氧(O)、硫(S)、锡(Sn)。如申请专利范围第9项所述之发光元件，其中该p型通道接面层是用一选自以下各物的掺杂物来掺杂：镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、铍(Be)、镉(Cd)。如申请专利范围第9项所述之发光元件，其更包含一经配置成可注射电荷至该工作区内的通道接面结构，且其中该等通道接面层中之至少一层至少用两种掺杂物掺杂，该等掺杂物中之至少一种有比其他该等掺杂物之游离能高的游离能。如申请专利范围第12项所述之发光元件，其中该等至少两种掺杂物系使在该n型通道接面层与该附加层的界面处和在该p型通道接面层与该附加层的界面处形成之空乏区的宽度最小化。一种发光元件，其系包含：一n型材料层，其形成在一基板上；一p型材料层，其形成在该n型材料层上，该p型材料层和该n型材料层之间形成一p-n接面；一n型接触，其形成于该n型材料层上；一p型接触，其形成于该p型材料层上，其中该p型材料层用镁和锌共同掺杂，其中该镁位于整个该p型材料层且其中该锌位于该p型材料层之表面，导致在直接位于该p型接触下形成该p型材料层之一浓密的共同掺杂区域。如申请专利范围第14项所述之发光元件，其中该镁和锌缩小一形成于p型材料层和该p型接触之介面的空乏区宽度。 |
