| 主权项 |
一种多位元相变化记忆元阵列，包括：复数个多位元相变化记忆元，每一多位元相变化记忆元包括：一第一位元线与一第二位元线；一第一相变化材料层，耦接于该第一位元线与该第二位元线之间；一第二相变化材料层，耦接至一源极线；以及一开关元件，透过其源/汲极耦接于该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之间，其闸极耦接至一字元线；其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层有不同的非晶化态电阻值，以及不同的非晶化态电流。如申请专利范围第1项所述之多位元相变化记忆元阵列，其中，该第二位元线耦接于该第一相变化材料层与该金氧半电晶体之间。如申请专利范围第1项所述之多位元相变化记忆元阵列，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之布局面积不同。如申请专利范围第1项所述之多位元相变化记忆元阵列，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之膜厚不同。如申请专利范围第1项所述之多位元相变化记忆元阵列，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之掺杂浓度不同。如申请专利范围第1项所述之多位元相变化记忆元阵列，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之一者包括一介面层。如申请专利范围第1项所述之多位元相变化记忆元阵列，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之加热接触面面积不同。如申请专利范围第1项所述之多位元相变化记忆元阵列，其中，该关关元件为一金氧半电晶体。一种多位元相变化记忆元，包括：一第一位元线与一第二位元线；一第一相变化材料层，耦接于该第一位元线与该第二位元线之间；一第二相变化材料层，耦接至一源极线；以及一开关元件，透过其源/汲极耦接于该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之间，其闸极耦接至一字元线；其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层有不同的非晶化态电阻值，以及不同的非晶化态电流。如申请专利范围第9项所述之多位元相变化记忆元，其中，该第二位元线耦接于该第一相变化材料层与该金氧半电晶体之间。如申请专利范围第9项所述之多位元相变化记忆元，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之布局面积不同。如申请专利范围第9项所述之多位元相变化记忆元，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之膜厚不同。如申请专利范围第9项所述之多位元相变化记忆元，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之掺杂浓度不同。如申请专利范围第9项所述之多位元相变化记忆元，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之一者包括一介面层。如申请专利范围第9项所述之多位元相变化记忆元，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之加热接触面面积不同。如申请专利范围第9项所述之多位元相变化记忆元，其中，该关关元件为一金氧半电晶体。 |
