| 摘要 |
<p>Le dispositif de fusion et de purification d'une charge (5) de silicium comporte un creuset (2) disposé à l'intérieur d'une l'enceinte (1) étanche. Un gradient thermique peut être appliqué au creuset par un échangeur (4) thermique disposé et un dispositif de chauffage (3). Le dispositif comporte également un dispositif de réduction (7) de la pression à l'intérieur de l'enceinte (1) à une valeur inférieure à 10 mbar et un dispositif de brassage (8) du silicium dans le creuset. La charge (5) de silicium subit successivement un dégazage et un préchauffage à pression atmosphérique, puis une fusion et une purification basse pression et à haute température. Une fois l'étape de purification à basse pression terminée, une cristallisation dirigée est réalisée.</p> |
