| 摘要 |
NA PRESENTE INVENÇÃO É DIVULGADA UMA TECNOLOGIA DE PROCESSAMENTO PARA A FABRICAÇÃO A BAIXAS TEMPERATURAS DE FILMES FINOS FERROELÉCTRICOS DE ÓXIDOS CRISTALINOS, ENTRE OUTROS PBZRXTI1-XO3 (PZT) (<400 ºC PARA O PZT) COM PROPRIEDADES FERROELÉCTRICAS ADEQUADAS PARA A INTEGRAÇÃO EM DISPOSITIVOS. O MÉTODO TAMBÉM É VÁLIDO PARA A FABRICAÇÃO DE FILMES FINOS FERROELÉCTRICOS COM ESTRUTURAS DE BRONZE DE TUNGSTÉNIO (A2B2O6), PEROVESQUITES (ABO3), PIROCLOROS (A2B2O7) E CAMADAS DE BISMUTO (BI4TI3O12), EM QUE A E B SÃO IÕES MONO, BI, TRI-, TETRA- E PENTAVALENTES. ESTA INVENÇÃO FORNECE UM MÉTODO PARA A FABRICAÇÃO DE FILMES FINOS POLICRISTALINOS DE FERROELÉCTRICOS, PIEZOELÉCTRICOS, PIROELÉCTRICOS E DIELÉCTRICOS, DENSOS E SEM FISSURAS, COM ESPESSURA ACIMA DE 50 NM E ABAIXO DE 800 NM EM SUBSTRATOS DE MONOCRISTAIS, POLICRISTALINOS, AMORFOS, METÁLICOS E DE POLÍMEROS A TEMPERATURAS BAIXAS E COM PROPRIEDADES OPTIMIZADAS, USÁVEIS NAS INDÚSTRIAS DE MICROELECTRÓNICA E ÓPTICA.
|
