| 摘要 |
Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit zumindest einem Halbleitersubstrat (10), zumindest einer auf dem Halbleitersubstrat (10) angeordneten aktiven Schicht (20), die Strahlung in einem Wellenlängenbereich erzeugt, zumindest einen Laserspiegel (40), der an einem Ende der aktiven Schicht (20) senkrecht zu dieser angebracht ist, durch den ein Teil der in der aktiven Schicht (20) erzeugten Strahlung austritt, der mit einer Schicht absorbierenden Materials (50, 60) versehen ist, die geeignet ist, die Steigung der Lichtleistungs-Strom-Kennlinie für Strahlung, die durch den Laserspiegel (40) austritt, zu verringern. |
