A METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A HIGH QUALITY LOW TEMPERATURE SILICON NITRIDE LAYER,申请号KR20057011377-传众专利搜索

发明名称	A METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A HIGH QUALITY LOW TEMPERATURE SILICON NITRIDE LAYER
摘要
申请公布号	KR101022949(B1)	申请公布日期	2011.03.16
申请号	KR20057011377	申请日期	2003.12.19
申请人		发明人
分类号	H01L21/31;C23C16/34;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/56;H01L21/205;H01L21/30;H01L21/314;H01L21/318;H01L21/336	主分类号	H01L21/31
代理机构		代理人
主权项
地址