| 发明名称 | 带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管 | ||
| 摘要 | 一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括P型碳化硅衬底，在P型碳化硅衬底上设P型外延层，在P型外延层内设源和N型漂移区，在N型漂移区内设漏和P型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与N型漂移区之间的P型外延层的上方设有栅氧化层且与源的金属引线邻接，在P型保护环的表面、漏的金属引线以外的表面、N型漂移区的漏和P型保护环以外的表面以及P型外延层的源的金属引线和栅氧化层以外的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设有金属场极板，在P型碳化硅衬底与P型外延层之间设有N型浮置埋层，N型浮置埋层位于P型碳化硅衬底与P型外延层交界面上。 | ||
| 申请公布号 | CN201766079U | 申请公布日期 | 2011.03.16 |
| 申请号 | CN201020224318.5 | 申请日期 | 2010.06.11 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 钱钦松;华国环;孙伟锋;潘晓芳;陆生礼;时龙兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 黄雪兰 |
| 主权项 | 一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括：P型碳化硅衬底(1)，在P型碳化硅衬底(1)上设有P型外延层(2)，在P型外延层(2)内设有源(4)和N型漂移区(3)，在N型漂移区(3)内设有漏(5)和P型保护环(7)，在源(4)上设有源的金属引线(12)，在漏(5)上设有源漏的金属引线(11)，在源(4)与N型漂移区(3)之间的P型外延层(2)的上方设有栅氧化层(6)且与源的金属引线(12)邻接，在P型保护环(7)的表面、漏(5)的漏的金属引线(11)以外的表面、N型漂移区(3)的漏(5)和P型保护环(7)以外的表面以及P型外延层(2)的源的金属引线(12)和栅氧化层(6)以外的表面设有场氧化层(8)，在栅氧化层(6)上设有栅(10)，在漏的金属引线(11)上设有金属场极板(9)，其特征在于，在P型碳化硅衬底(1)与P型外延层(2)之间设有N型浮置埋层(13)，且所述N型浮置埋层(13)位于P型碳化硅衬底(1)与P型外延层(2)交界面上。 | ||
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