非易失性存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种非易失性存储器装置及其制造方法。在该非易失性存储器装置中，至少一个第一传导类型的第一半导体层可相互分隔开地形成在基底的部分上。多个第一阻抗变化存储层可接触至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁。多个第二传导类型的第二半导体层可置于至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁和多个第一阻抗变化存储层之间，第二传导类型与第一传导类型相反。多个位线电极可连接到多个第一阻抗变化存储层的每个。

主权项

一种非易失性存储器装置，包括：至少一个第一传导类型的第一半导体层，形成在基底的部分上；多个第一阻抗变化存储层，设置在所述至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁上；多个第二传导类型的第二半导体层，置于所述至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁和多个第一阻抗变化存储层之间，其中，第二传导类型与第一传导类型相反；多个位线电极，连接到所述多个第一阻抗变化存储层的每个；第一柱状绝缘层，形成在基底上，其中，第一柱状绝缘层置于所述多个第一阻抗变化存储层之间。