| 发明名称 |
CMOS device comprising MOS transistors with recessed drain and source areas and non-conformal silicide regions |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
GB2473568(A) |
申请公布日期 |
2011.03.16 |
| 申请号 |
GB20100021256 |
申请日期 |
2009.06.30 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC |
发明人 |
JAN HOENTSCHEL;UWE GRIEBENOW;ANDY WEI |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
