发明名称 |
一种横向双极晶体管及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种横向双极晶体管及其制作工艺,发射极和集电极位于晶体管表面,基极位于晶体管背面。由此带来的好处是:1、缓解了击穿电压与工作电流的矛盾,可以提高器件的工作频率与带宽、输出功率、线性功率;2、散热面积大大增加,器件散热性能得到极大改善。同时,集电极移到表面后芯片可以直接烧结在铜底座上,这样进一步提高了散热性能,同时还大大降低了管壳的成本;3、共基极应用时,由于本技术背面是基极,可以省去金丝引线,从而把引线电感对器件频率、功率、稳定性的不利影响减到极小;4、散热的改善也大大提高了器件的可靠性和抗失配能力。 |
申请公布号 |
CN101986434A |
申请公布日期 |
2011.03.16 |
申请号 |
CN201010107818.5 |
申请日期 |
2010.12.17 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
发明人 |
盛国兴 |
分类号 |
H01L29/735(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/735(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
柏尚春 |
主权项 |
一种横向双极晶体管,包括发射极(1)、基极(2)和集电极(4),其特征在于:发射极(1)和集电极(4)位于晶体管表面,基极(2)位于晶体管背面。 |
地址 |
210016 江苏省南京市中山东路524号 |