| 发明名称 | 制造半导体器件的方法及设备 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体器件的方法及设备。所述方法包括：使用化学镀方法在半导体衬底上形成多个金属膜的层叠结构。形成金属膜包括：使用第一镀槽进行包括还原反应的化学镀工艺；和使用第二镀槽进行仅通过置换反应的化学镀工艺。包括使用第一镀槽进行的还原反应的化学镀工艺是在遮光环境中进行，并且使用第二镀槽仅通过置换反应进行的化学镀工艺是在非遮光环境中进行的。 | ||
| 申请公布号 | CN101986422A | 申请公布日期 | 2011.03.16 |
| 申请号 | CN201010218293.2 | 申请日期 | 2010.06.28 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 高桥信明;小室雅宏 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括：使用化学镀方法在半导体衬底上形成多个金属膜的层叠结构，其中所述形成金属膜包括：使用第一镀槽进行包括还原反应的化学镀工艺；和使用第二镀槽进行仅通过置换反应的化学镀工艺，所述使用所述第一镀槽进行的包括所述还原反应的化学镀工艺是在遮光环境中进行的，以及所述使用所述第二镀槽仅通过所述置换反应进行的化学镀工艺是在非遮光环境中进行的。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||