| 发明名称 | 双位U型存储器结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双位U型存储器结构及其制作方法。本发明披露的存储器其结构特征在于浮动栅极的底部为U型且嵌入在基底中。本发明的存储器结构包含基底；控制栅极，设于基底表面；浮动栅极，设于控制栅极的两侧，其中浮动栅极具有U形底部嵌入于基底中；第一介电层，介于控制栅极与基底之间；第二介电层，介于浮动栅极的U形底部与基底之间；第三介电层，介于控制栅极与浮动栅极之间；局部掺杂区，设于浮动栅极正下方的U形浮动栅极沟道；以及源极/漏极掺杂区，设于浮动栅极的一侧的基底中。 | ||
| 申请公布号 | CN101582454B | 申请公布日期 | 2011.03.16 |
| 申请号 | CN200810100203.2 | 申请日期 | 2008.05.16 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 廖伟明;王哲麒 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人 | 刘云贵 |
| 主权项 | 一种存储器元件结构，包含：基底；控制栅极，设于该基底表面；浮动栅极，设于该控制栅极的两侧，其中该浮动栅极具有U形底部嵌入于该基底中；第一介电层，介于该控制栅极与该基底之间；第二介电层，介于该浮动栅极的该U形底部与该基底之间；第三介电层，介于该控制栅极与该浮动栅极之间；局部掺杂区，设于该浮动栅极正下方的U形浮动栅极沟道的周围；以及源极/漏极掺杂区，设于该浮动栅极的一侧的该基底中。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||