Flash存储器在线编程控制方法

摘要

本发明公开了一种Flash存储器在线编程控制方法，包括擦除操作和写入操作，其特征在于：在RAM中预置Flash存储器加高压期间运行语句以及返回语句的机器码，所述Flash存储器加高压期间运行语句包括向状态寄存器写入中断标志以启动对应命令的语句，以及判断等待命令完成的语句；在擦除操作和写入操作过程中，在加高压期间转向RAM中进行程序运行。本发明将加高压期间引起的不稳定因素与Flash存储器的擦除、写入操作独立开来，控制方法具备通用性，编程方便，并确保了Flash存储器在线编程的稳定性。

主权项

一种Flash存储器在线编程控制方法，包括擦除操作和写入操作，其特征在于：在RAM中预置Flash存储器加高压期间运行语句以及返回语句的机器码，所述Flash存储器加高压期间运行语句包括向状态寄存器写入中断标志以启动对应命令的语句，以及判断等待命令完成的语句；所述擦除操作包括：(1)预操作，所述预操作包括，设置时钟分频，清除相关错误标志位，设置块号、页号；(2)定位要擦除的扇区，向要擦除的扇区中每一地址写入任意值；(3)向命令寄存器写扇区擦除命令；(4)转向RAM中的预置机器码，并执行；(5)命令执行完成时，从RAM转回Flash程序，完成所述擦除操作；所述写入操作包括：(1)预操作，所述预操作包括，设置时钟分频，清除相关错误标志位，设置块号、页号；(2)将源地址的一个字写入目标地址；(3)向命令寄存器写字写入命令；(4)转向RAM中的预置机器码，并执行；(5)命令执行完成时，从RAM转回Flash程序，如果有下一待写数据，重复写入步骤(2)至(5)，否则完成所述写入操作。