像素单元与其制造方法

摘要

本发明提供一种像素单元与其制造方法。所述方法包括下列步骤，形成薄膜晶体管于基板上，全面性地形成保护层于基板上，形成图案化光阻层于保护层上，以图案化光阻层为掩膜移除部分保护层，以形成图案化保护层，其中图案化保护层具有位于其侧壁的底切结构，形成电极材料层以覆盖基板、薄膜晶体管以及图案化光阻层，其中电极材料层于底切结构处断开，以暴露底切结构，令一剥除液从底切结构处渗入图案化光阻层与图案化保护层间，使图案化光阻层及覆盖于图案化光阻层上的部分电极材料一并被掀离，以形成与薄膜晶体管电连接的像素电极。底切结构提供剥除液渗透的入口，使剥除液易于渗入图案化光阻层，进而改善传统的去光阻工艺中不便与困难之处。

主权项

一种像素单元的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成一薄膜晶体管于一基板上；全面性地形成一保护层于所述基板上，以覆盖所述薄膜晶体管，其中所述保护层包括多层彼此堆迭的薄膜，且至少其中一层薄膜的刻蚀率高于其他薄膜的刻蚀率；形成一图案化光阻层于所述保护层上；以所述图案化光阻层为掩膜，移除未被所述图案化光阻层覆盖的部分所述保护层，以形成一图案化保护层，其中所述图案化保护层具有一位于其侧壁的底切结构，所述底切结构为通过对所述保护层进行刻蚀而形成；形成一电极材料层，以覆盖所述基板、所述薄膜晶体管以及所述图案化光阻层，其中所述电极材料层于所述底切结构处断开，以暴露所述底切结构；以及令一剥除液从所述底切结构处渗入所述图案化光阻层与所述图案化保护层之间，使所述图案化光阻层以及覆盖于所述图案化光阻层上的部分所述电极材料一并被掀离，以形成与所述薄膜晶体管电连接的一像素电极。