Mass storage semiconductor memory device and method for fabricating the same,申请号KR20090014096-传众专利搜索

发明名称	Mass storage semiconductor memory device and method for fabricating the same
摘要
申请公布号	KR101022580(B1)	申请公布日期	2011.03.16
申请号	KR20090014096	申请日期	2009.02.19
申请人		发明人
分类号	H01L27/10;H01L21/8239	主分类号	H01L27/10
代理机构		代理人
主权项
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