非线性闪存的坏块管理方法及装置

摘要

本发明公开了一种非线性闪存(NandFlash)的坏块管理方法，将非线性闪存的存储空间划分为数据区和预留区，该方法包括：对NandFlash的数据区进行数据擦除或写入操作时，获取所产生的坏块信息；在NandFlash的预留区中选取与坏块相对应的可用的替代块；对所选取的替代块进行数据擦除或写入操作。本发明还公开了一种NandFlash的坏块管理装置，由替代块实现坏块的擦除和写入等操作，只需建立坏块和替代块的映射关系，对替代块的查找速度快；替代操作不会影响其他正常块；且本发明应用于终端的固件升级中，避免了坏块的产生对固件升级所造成的影响，提高了固件升级的效率。

主权项

一种非线性闪存的坏块管理方法，其特征在于，将非线性闪存的存储空间划分为数据区和预留区，该方法包括：对所述非线性闪存的数据区进行数据擦除或写入操作时，获取所产生的坏块信息；根据所述坏块信息，在所述非线性闪存的预留区中选取与所述坏块相对应的可用的替代块，具体的：在所述预留区中选取当前状态为可用的替代块，并将所选取的替代块的物理地址记录在所述坏块对应的冗余区中，形成坏块与对应替代块的映射关系；对所选取的替代块进行所述数据擦除或写入操作，之后在对所述坏块进行读取操作时，根据所述坏块对应的冗余区中所记录的物理地址，从所述物理地址对应的替代块中读取数据。