发明名称 |
薄膜晶体管阵列基板、液晶显示面板与液晶显示器 |
摘要 |
一种薄膜晶体管阵列基板,其具有多个次像素区,且各次像素区内分别配置有一薄膜晶体管,其包括一栅极、一通道层、一源极与一漏极。其中,通道层配置于源极、漏极与栅极之间。此外,漏极与栅极之间具有一重叠区域,以使得漏极、通道层与栅极构成一栅极-漏极寄生电容。此薄膜晶体管阵列基板的特征在于次像素区包括多个面积为S1的第一次像素区与多个面积为S2的第二次像素区,且S1>S2。另外,位于第一次像素区内的各重叠区域的大小为A1,而位于第二次像素区内的各重叠区域的大小为A2,且1<A1/A2≦S1/S2。 |
申请公布号 |
CN101038406B |
申请公布日期 |
2011.03.16 |
申请号 |
CN200610067624.0 |
申请日期 |
2006.03.17 |
申请人 |
奇美电子股份有限公司 |
发明人 |
杨明达;石明家;许哲铭 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板,具有多个次像素区,且各该次像素区内分别配置有薄膜晶体管,各该薄膜晶体管包括栅极、通道层、源极与漏极,其中该通道层配置于该源极、该漏极与该栅极之间,且该漏极与该栅极之间具有重叠区域,以使得该漏极、该通道层与该栅极构成栅极‑漏极寄生电容,此薄膜晶体管阵列基板的特征在于:该些次像素区包括多个面积为S1的第一次像素区与多个面积为S2的第二次像素区,且S1>S2,其中位于该些第一次像素区内的各该重叠区域的大小为A1,而位于该些第二次像素区内的各该重叠区域的大小为A2,且1<A1/A2<S1/S2。 |
地址 |
中国台湾台南县 |