薄膜压电超声换能器

摘要

本发明提供一种薄膜压电超声换能器，包括具有硅杯结构的硅基片，位于该硅基片上的支撑层以及位于支撑层上的N个压电换能单元；其特征在于，所述硅基片的硅杯结构上部具有选择性掺杂层，该选择性掺杂层上具有N个与所述压电换能单元相对应的通孔。与现有技术相比，本发明能否达到以下技术效果：本发明可以用常规的体硅刻蚀工艺实现密排阵元的薄膜压电换能器阵列，该阵列的阵元间距不受阵元间侧墙厚度及倾角的限制，可根据阵列设计需要任意调整。

主权项

一种薄膜压电超声换能器，包括具有硅杯结构的硅基片(100)，位于该硅基片(100)上的支撑层(103)以及位于支撑层(103)上的N个压电换能单元；其特征在于，所述硅基片(100)的硅杯结构上部具有选择性掺杂层，该选择性掺杂层上具有N个与所述压电换能单元相对应的通孔；所述N至少为2；所述压电换能单元由下电极(107)，压电薄膜(108)和上电极(109)组成。