发明名称 封装模组及电子装置
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.03.11
申请号 TW096130128 申请日期 2007.08.15
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 许志行
分类号 H01L23/367 主分类号 H01L23/367
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 一种封装模组,包括:一基板,具有一第一表面,其中该第一表面具有一第一晶片区;一第一晶片,设置于该基板的该第一表面的该第一晶片区;以及一第一可挠式散热片,顺应性覆盖该基板的部分该第一表面及该第一晶片。如申请专利范围第1项所述之封装模组,其中该基板更具有一第二表面,相对于该第一表面,其中该第二表面具有一第二晶片区及自该第二晶片区一边缘或角落向外延伸至该基板的一边缘或角落的至少一热通道区。如申请专利范围第2项所述之封装模组,更包括:一第二晶片,设置于该基板的该第二表面的该第二晶片区;以及一第二可挠式散热片,顺应性覆盖该热通道区及该第二晶片;其中该第一可挠式散热片及该第二可挠式散热片自该基板的至少一边缘向外延伸且彼此接合。如申请专利范围第3项所述之封装模组,其中该第一可挠式散热片及该第二可挠式散热片分别包括:一可挠式导热层;以及一黏着层,位于该可挠式导热层与该基板之间。如申请专利范围第4项所述之封装模组,其中该可挠式导热层包括金属,且其厚度小于30μm。如申请专利范围第4项所述之封装模组,其中该第一可挠式散热片及该第二可挠式散热片更分别包括一保护层,位于该可挠式导热层上且经由该可挠式导热层而与该黏着层隔开。如申请专利范围第6项所述之封装模组,其中该保护层包括镍金属或阳极氧化材料。如申请专利范围第4项所述之封装模组,其中该可挠式导热层的表面具有复数凸面图案而形成粗糙表面,当该第一可挠式散热片及该第二可挠式散热片分别受力压合而覆盖于该基板上时,该等凸面图案穿过该黏着层而分别与该第一晶片及该第二晶片直接接触。如申请专利范围第4项所述之封装模组,其中该可挠式导热层包括碳管胶片。如申请专利范围第4项所述之封装模组,其中该黏着层包括B阶树脂或聚亚醯胺。如申请专利范围第1项所述之封装模组,更包括一封装装置,设置于该第一可挠式散热片与该基板之间。一种电子装置,包括:一封装模组,包括:一基板,具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面,其中该第一表面具有一第一晶片区;复数锡球,依阵列排置于该基板的该第二表面;一第一晶片,设置于该基板的该第一表面的该第一晶片区;以及一第一可挠式散热片,顺应性覆盖该基板的部分该第一表面及该第一晶片;以及一电路板,具有复数焊垫对应接合至该等锡球。如申请专利范围第12项所述之电子装置,其中该第二表面具有一第二晶片区及至少一热通道区自第二晶片区一边缘或角落向外延伸至该基板的一边缘或角落,且该等锡球排置于该基板的该第二表面的该第二晶片区及该热通道区之外的区域。如申请专利范围第13项所述之电子装置,其中该封装模组更包括:一第二晶片,设置于该基板的该第二表面的该第二晶片区;以及一第二可挠式散热片,顺应性覆盖该热通道区及该第二晶片;其中该第一可挠式散热片及该第二可挠式散热片自该基板的至少一边缘向外延伸且彼此接合。如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该等锡球之间的间距小于该热通道区之宽度。如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该第一可挠式散热片及该第二可挠式散热片分别包括:一可挠式导热层;以及一黏着层,位于该可挠式导热层与该基板之间。如申请专利范围第16项所述之电子装置,其中该可挠式导热层包括金属,且其厚度小于30μm。如申请专利范围第16项所述之电子装置,其中该第一可挠式散热片及该第二可挠式散热片更分别包括一保护层,位于该可挠式导热层上且经由该可挠式导热层隔开该黏着层。如申请专利范围第18项所述之电子装置,其中该保护层包括镍金属或阳极氧化材料。如申请专利范围第16项所述之电子装置,其中该可挠式导热层的表面具有复数凸面图案而形成粗糙表面,当该第一可挠式散热片及该第二可挠式散热片分别受力压合而覆盖于该基板上时,该等凸面图案穿过该黏着层而分别与该第一晶片及该第二晶片直接接触。如申请专利范围第16项所述之电子装置,其中该可挠式导热层包括碳管胶片。如申请专利范围第16项所述之电子装置,其中该黏着层包括B阶树脂或聚亚醯胺。如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该第一可挠式散热片或该第二可挠式散热片之一端系接合至该电路板。如申请专利范围第12项所述之电子装置,更包括一封装装置,设置于该第一可挠式散热片与该基板之间。
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