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一种含有多阶单胞(Multi Level Cell,MLC)之记忆元件的读取方法，该方法包含：根据使用多个第一读取电压之一第一读取指令，执行一读取操作，以读取记忆体方块，该记忆体方块包含许多页；若使用该第一读取指令执行该读取操作，造成一第一错误率超过一第一等级，则使用利用多个第二读取电压之一第二读取指令，执行该读取操作；及若使用该第二读取指令执行该读取操作，造成一第二错误率超过一第二等级，则使用利用多个第三读取电压之一第三读取指令，执行该读取操作。如申请专利范围第1项之读取方法，其中该等第一读取电压包含至少三种不同的电压准位，用以读取至少三种不同的MLCs之程式化状态。如申请专利范围第2项之读取方法，其中该等第一读取电压对应于针对该记忆元件所定义之起始读取电压，以及其中该等第二读取电压包含至少三种不同的电压准位，用以读取至少三种不同的MLCs程式化状态，该等第二读取电压具有分别低于该等第一读取电压之电压。如申请专利范围第3项之读取方法，其中该等第三读取电压包含至少三种不同的电压准位，用以读取至少三种不同的MLCs之程式化状态，该等第三读取电压具有分别低于该等第二读取电压之电压。如申请专利范围第1项之读取方法，其中该记忆体块的读取操作系使用该第一、第二和第三读取指令执行，至少该第二和第三指令系被建构以补偿与非挥发性记忆元件的资料记忆力特性有关之临限电压偏移现象。如申请专利范围第1项之读取方法，其更包含错误校正，其系藉由使用错误校正码(ECC)法执行。如申请专利范围第1项之读取方法，其中若判定该第一错误率至少为处理资料的百分之10，则将该第一错误率视为超过该第一等级。如申请专利范围第7项之读取方法，其中若判定该第二错误率至少为处理资料的百分之10，则将该第二错误率视为超过该第二等级。如申请专利范围第1项之读取方法，还包含：在执行该第三读取指令之后，在使用N个预定数量的读取指令执行该读取操作之后，若第N个错误率超过给定等级，则表示该记忆体方块系失效方块。如申请专利范围第1项之读取方法，还包含：在对该记忆体方块中所有的页都执行该读取操作之后，执行一方块复制操作，以将储存在该记忆体方块中的资料复制到另一记忆体方块。如申请专利范围第1项之读取方法，其中该第一错误率系藉由计算具有错误之单胞的数量而判定，其中该第一等级系处理单胞的百分之10。一种用于含有多阶单胞(Multi Level Cell,MLC)之非挥发性记忆元件之读取方法，该方法包含：提供复数个补偿的读取指令，每一个补偿的读取指令都具有读取电压，用以补偿MLC之临限电压分布的偏移；使用一第一补偿读取指令执行一读取操作，以读取一记忆体方块之MLCs，该第一补偿读取指令具有第一补偿读取电压；及执行一方块复制操作，以将储存在该记忆体方块之资料复制到另一记忆体方块。如申请专利范围第12项之读取方法，还包含：判定一错误率是否超过给定等级；及若该错误率超过给定等级，则使用一第二补偿读取指令执行该读取操作。如申请专利范围第13项之读取方法，其中该复数个补偿读取指令之每一者具有比针对MLCs所定义之起始读取电压更低的电压。如申请专利范围第13项之读取方法，其中该错误率系藉由计算具有错误之单胞的数量而判定。如申请专利范围第13项之读取方法，其中若该错误率小于该给定等级，则使用ECC法执行一错误校正。如申请专利范围第12项之读取方法，其中若记忆体方块不能使用任何补偿读取指令有效读取，则该记忆体方块被表示为失效方块。如申请专利范围第12项之读取方法，其中藉由使用在该复数个补偿读取指令之中包含具有最低电压准位之补偿读取电压的补偿读取指令执行该方块复制操作。 |
