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一种形成半导体于玻璃结构上之方法，该方法包含：将施体半导体晶片之移植表面施以离子移植处理以产生施体半导体晶片剥离层；使用电解处理将剥离层之移植表面黏接至玻璃基板；将剥离层由施体半导体晶片分离，因而暴露出至少一个分裂表面；以及将至少一个分裂表面在20-100℃下进行湿式蚀刻处理，其在湿式蚀刻处理之前或之后并不采用氢气退火处理。依据申请专利范围第1项之方法，其中至少一个分裂表面包含施体半导体晶片之第一分裂表面以及剥离层之第二分裂表面。依据申请专利范围第2项之方法，其中湿式蚀刻处理之步骤适用于至少剥离层之第二分裂表面。依据申请专利范围第2项之方法，其中湿式蚀刻处理之步骤适用于至少施体半导体晶片之第一分裂表面。依据申请专利范围第1项之方法，其中湿式蚀刻处理过程在温度为20-60℃之间进行。依据申请专利范围第1项之方法，其中湿式蚀刻处理过程在温度25℃下进行。依据申请专利范围第1项之方法，其中湿式蚀刻处理过程包含将至少一个分裂表面置于酸性溶液或硷性溶液中。依据申请专利范围第7项之方法，其中酸性溶液包含至少一种氢氟酸，硝酸，以及醋酸。依据申请专利范围第7项之方法，其中酸性溶液或硷性溶液包含水。依据申请专利范围第7项之方法，其中酸性溶液或硷性溶液包含硷性腐蚀剂。依据申请专利范围第10项之方法，其中硷性腐蚀剂由KOH，NH4OH，四甲基氢氧化铵(TMAH)选取出。依据申请专利范围第7项之方法，其中酸性溶液或硷性溶液包含一种添加剂。依据申请专利范围第12项之方法，其中添加剂为异丙醇，过氧化氢以及臭氧水。依据申请专利范围第1项之方法，其中蚀刻处理过程包含将至少一个分裂表面置于含有腐蚀剂之溶液的搅动中。依据申请专利范围第14项之方法，其中搅动包含至少一种溶液的搅拌，溶液的磁搅拌，超音波传播于溶液内，超高音波传播于溶液内，以及溶液的喷洒。依据申请专利范围第1项之方法，其中黏接之步骤包含：对至少一项玻璃基板及施体半导体晶片加热；将玻璃基板经由剥离层与施体半导体晶片直接或间接接触；施加电动势于玻璃基板与施体半导体晶片两端以产生黏接。依据申请专利范围第1项之方法，其中施体半导体晶片由Si，SiGe，SiC，Ge，GaAs，GaP，及InP选取出。一种形成半导体于玻璃结构上之方法，该方法包含：使用电解处理将施体半导体结构之表面黏接至玻璃基板；藉由剥离方式由施体半导体结构分离出一层，其黏接至玻璃基板，因而外露于出至少一个分裂之表面；以及将至少一个分裂表面在20-100℃下进行湿式蚀刻处理，其在湿式蚀刻处理之前或之后并不采用氢氧退火处理。依据申请专利范围第18项之方法，其中施体半导体结构包含单晶施体半导体晶片，分离层由单晶施体半导体晶片材料所形成。依据申请专利范围第18项之方法，其中施体半导体结构包含施体半导体晶片以及位于施体半导体晶片上之剥离半导体层，以及分离层由剥离半导体层所形成。依据申请专利范围第18项之方法，其中至少一个分裂表面包含施体半导体结构之第一分裂表面以及分离层之第二分裂表面。依据申请专利范围第21项之方法，其中湿式蚀刻处理之步骤适用于至少分离层之第二分裂表面。依据申请专利范围第21项之方法，其中湿式蚀刻处理之步骤适用于至少施体半导体晶片之第一分裂表面。依据申请专利范围第18项之方法，其中更进一步包含将分离层以及施体半导体结构至少一个蚀刻表面进行抛光。依据申请专利范围第24项之方法，其中抛光之步骤包含使用矽石为主泥浆擦光(buffing)蚀刻表面。依据申请专利范围第25项之方法，其中抛光之压力在1及100psi之间。依据申请专利范围第25项之方法，其中抛光之平台速度在25-1000rpm之间。依据申请专利范围第25项之方法，其中抛光之处理过程为确定性抛光技术。 |
