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一种记忆体，其包含：一非挥发性资料储存元件，其可储存一负临界电压特征的一第一资料状态，与一正临界电压特征的一个或多个第二资料状态；及感测电路，其可连接到该资料储存元件，以区别该储存元件的资料状态，其包含：一补偿电路，藉由其使该感测电路用来区别在一常态读取处理中的该第一与第二资料状态的参数随着一个或多个工作状况之一连续函数而变化。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该等工作状况包含温度。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该等工作状况包含一外部电源供应的电压位准。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该资料储存元件可储存该等复数个第二资料状态。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该参数是一电压。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该参数是在从0伏特至0.2伏特的范围内之一电压。如申请专利范围第1项之记忆体，其中该参数是一电流。如申请专利范围第1项之记忆体，进一步包含：写电路，其可连接到该资料储存元件与该感测电路，其中该感测电路能用于程式验证，且该等第二资料状态的验证位准能根据工作状况而补偿。如申请专利范围第1项之记忆体，其进一步包含：一负电压源；及一带隙产生器，其可连接到该负电压源，藉此提供该参数。如申请专利范围第9项之记忆体，其中该参数是一电压，且该带隙产生器可提供0伏特至0.2伏特范围的电压。一种操作一非挥发性记忆体之方法，其包含：选择一资料储存元件，以储存复数个资料状态，该等复数个资料状态包含一负临界电压特征的一第一资料状态、与一正临界电压特征的一个或多个第二资料状态；提供一感测参数，其中该感测参数随着一个或多个工作状况之一连续函数而变化；及透过使用该感测参数以区别在一常态读取处理中的该第一资料状态与该第二资料状态。如申请专利范围第11项之方法，其中该等复数个资料状态包含复数个第二资料状态。如申请专利范围第11项之方法，其中该工作状况包含温度。如申请专利范围第11项之方法，其中该工作状况包含一外部电源供应的电压位准。如申请专利范围第11项之方法，其中该感测参数是一电压。如申请专利范围第15项之方法，其中该感测参数是在0伏特的至0.2伏特范围内的一电压。如申请专利范围第11项之方法，其中该感测参数是一电流。如申请专利范围第11项之方法，其进一步包含：产生一负电压，其中该感测参数系透过使用该负电压而产生。一种非挥发性记忆体装置，其包含：储存装置，用以储存从复数个资料状态选取的一资料值，其中该复数个资料状态之一第一资料状态之特征为一负临界值，且该复数个资料状态之一第二资料状态之特征为一正临界值；提供感测参数装置，用以提供一感测参数，该感测参数随着记忆体装置之一个或多个工作状况之一连续函数而变化；及区别装置，以透过使用该感测参数而区别在一常态读取处理中的该第一资料状态与该第二资料状态。 |
