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一种单结晶之制造方法，系以柴氏长晶法在单结晶拉晶装置之长晶室内使非活性气体流入，并将从原料融液拉晶出之单结晶以整流筒包围；其特征在于：在单结晶径向之环状OSF区域外侧的N区域进行单结晶之拉晶时，当待拉晶之单结晶直径为D(mm)，系以该单结晶与整流筒间之非活性气体流量0.6D(L/min)以上、且长晶室内的压力0.6D(hPa)以下的条件，进行该N区域之单结晶拉晶。如申请专利范围第1项之单结晶之制造方法，其中，该拉晶之单结晶为矽单结晶。如申请专利范围第1项之单结晶之制造方法，其中，该拉晶之单结晶直径为200mm以上。如申请专利范围第2项之单结晶之制造方法，其中，该拉晶之单结晶直径为200mm以上。如申请专利范围第1项之单结晶之制造方法，其中，系使用至少表面Fe浓度为0.05ppm以下之整流筒来进行该N区域的单结晶拉晶。如申请专利范围第2项之单结晶之制造方法，其中，系使用至少表面Fe浓度为0.05ppm以下之整流筒来进行该N区域的单结晶拉晶。如申请专利范围第3项之单结晶之制造方法，其中，系使用至少表面Fe浓度为0.05ppm以下之整流筒来进行该N区域的单结晶拉晶。如申请专利范围第4项之单结晶之制造方法，其中，系使用至少表面Fe浓度为0.05ppm以下之整流筒来进行该N区域的单结晶拉晶。一种单结晶，其特征在于，系由申请专利范围第1~8项中任一项之方法所制造出。一种矽单结晶晶圆，系藉柴氏长晶法所制造出之直径200mm以上的矽单结晶晶圆，其特征在于：系位于单结晶径向之环状OSF区域外侧的N区域者，且该晶圆之包含外周部的径向全面之Fe浓度为1×1010atoms/cm3以下。 |
